蓄力下一代DRAM 存储龙头拟提升EUV光刻性能 相移掩模版成关键
为确保下一代DRAM实现量产，韩国存储两巨头正共同推进EUV光刻工艺的研发。
据报道，在近日举行的“下一代光刻+图案化”会议(NGL 2026)上，SK海力士副总裁表示：“正在考虑多重曝光EUV或引入高数值孔径(High-NA)单次曝光技术，以大规模生产极致微工艺。”
其补充道，随着今年全面启动相关技术的研发，公司已开始全面引入PSM等新型材料，以期提升EUV光刻性能。
PSM全称Phase Shift Mask，意为相移掩模版。掩模版是半导体生产制造过程中不可或缺的材料，其工作原理是将设计好的电路图形通过光刻刻蚀等工艺绘制在掩模版上，随后将掩模版承载的电路图形通过曝光的方式转移到硅晶圆等基体材料上。
作为掩模版中的一大子类，PSM能够同时控制光强与光相位，通过相消干涉压制衍射伪影，从而将High-NA EUV理论分辨率真正释放。
除此之外，另一韩国存储巨头三星电子也正着手于High-NA EUV技术的研发。
据报道，三星电子计划将High-NA EUV技术应用于存储芯片量产。公司方面表示：“预计从A10(1nm)及以下工艺开始就需要高数值孔径极紫外光刻技术，因此正在与各合作伙伴开展联合研发。”鉴于此，三星电子预计成功实现2nm工艺商业化后，于2029年量产1.4nm工艺，最终于2030年开始量产1nm工艺。
值得一提的是，去年三星电子就曾试图将PSM引入EUV光刻技术，彼时公司高管指出：“技术发展趋势正从二元掩模转向PSM。我们最初使用的是二元掩模，但由于某些局限性，市场对PSM的需求日益增长，我们正在尝试将其应用于产品中。”
民生证券指出，半导体掩模版作为核心半导体材料之一，2021年占全球半导体材料市场的12%，仅次于硅片和电子特气。高端半导体掩模版主要被美国和日韩厂商垄断，随着中国在先进制程领域不断突破，掩模版市场规模有望进一步扩大，为国产厂商带来巨大机遇。
